Чипы и полупроводники

Главные технологические исследования в чиповой индустрии: энергопотребление HBM, пути утечки в GAAFET и агентный ИИ

Новейшие технические исследовательские работы проливают свет на энергопотребление памяти с высокой пропускной способностью HBM, анализ путей утечки в транзисторах GAAFET и применение агентного искусственного интеллекта в проектировании и верификации.

2026-10-20
2 мин. чтения
7 просмотров
certi.news Editorial Team
Главные технологические исследования в чиповой индустрии: энергопотребление HBM, пути утечки в GAAFET и агентный ИИ

Издание Semiconductor Engineering опубликовало список новейших технических исследовательских работ, добавленных в его исследовательскую библиотеку. Они охватывают ключевые достижения в области проектирования микросхем, памяти и передовой упаковки, а также проблемы безопасности и тепловые проблемы.

Новые исследования включают передовые изыскания академических институтов, исследовательских организаций и ведущих технологических компаний, направленные на решение сложных инженерных задач в секторе полупроводников.

Ключевые исследования и технические темы

  • Энергопотребление HBM: Экспериментальный анализ и моделирование энергопотребления в современной памяти с высокой пропускной способностью с использованием реальных кристаллов HBM2 под руководством исследователей из Высшей технической школы Цюриха (ETH Zürich) и Нью-Йоркского университета.
  • Пути утечки в GAAFET: Выявление новых путей утечки в транзисторах с круговым затвором (GAAFET) с использованием предиктивного моделирования из первых принципов в сотрудничестве с Национальными лабораториями Сандия и Люксембургским институтом науки и технологий.
  • Агентный ИИ (Agentic AI): Применение интеллектуальных агентов при проектировании гетерогенных систем в масштабах кристалла и масштабирования, а также их использование для верификации на языке описания регистровых трансфертов (RTL) и отладки при участии таких университетов, как Колумбийский и Иллинойский университеты, а также Google DeepMind.
  • Наномеханическая память eDRAM: Разработка встроенных ячеек динамической памяти на базе наноэлектромеханических затворов для повышения энергоэффективности при сотрудничестве Калифорнийского университета в Беркли, Samsung Electronics и Intel.
  • Тепловое моделирование 3D-микросхем: Представление ускоренного искусственным интеллектом итеративного теплового анализатора для трехмерных интегральных схем (3D-IC), разработанного совместно Cadence Design Systems и Университетом Нотр-Дам.
  • Уязвимости безопасности в автономных транспортных средствах: Обзорное исследование, посвященное тепловым атакам по сторонним каналам и атакам на системы восприятия в автономных транспортных средствах, подготовленное исследователями из Университета науки и технологий Миссури.

Что представляет собой этот отчет?

Эти исследовательские работы отражают текущие тенденции отрасли, направленные на устранение тепловых узких мест и снижение энергопотребления памяти высокой плотности, а также на попытки автоматизировать сложные этапы проектирования и верификации с помощью алгоритмов агентного искусственного интеллекта для сокращения циклов разработки и повышения эффективности передовых микросхем.

Источник новости
c
Автор

certi.news Editorial Team

Изучить сюжет

Связанные темы и сущности

В той же категории

Вам также может понравиться

Все новости