Исследовательская группа из Китайской академии наук, Цзилиньского университета и Государственной ключевой лаборатории передового производства оптических систем опубликовала техническую статью в журнале iScience в августе 2026 года, в которой рассматривается потенциал платино-вольфрамового сплава (Pt-W) как инновационного материала для поглотителей масок в технологии экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV).
Что предлагает это исследование?
Исследование сосредоточено на решении проблем, связанных со следующим поколением технологии литографии с высокой числовой апертурой (High-NA EUV). По мере повышения точности производства толщина традиционных поглотителей масок становится препятствием для качества изображения из-за эффектов трехмерной тени. В исследовании предлагается использовать сплав Pt-W в качестве альтернативы, обладающей улучшенными физическими и оптическими свойствами, что позволяет уменьшить толщину поглотителя без ущерба для эффективности блокировки света.
Почему это развитие важно?
Поглотители масок являются критически важным элементом точности литографии. В технологиях High-NA EUV уменьшение толщины поглотителя приводит к снижению оптических искажений, вызванных наклонными углами падения света, что необходимо для производства полупроводников с меньшими нанометровыми размерами. Использование сплава Pt-W может обеспечить лучший баланс между коэффициентом преломления (low-n) и характеристиками формирования изображения, что открывает путь к повышению точности рисунков, печатаемых на кремниевых пластинах.
Практические последствия
Исследование опирается на методы физического осаждения из паровой фазы (PVD) для создания этих тонких пленок с тщательной оценкой их свойств в условиях воздействия EUV. Эта работа представляет собой шаг на пути поиска новых материалов, способных выдерживать требования передового производства, поскольку традиционные материалы продолжают сталкиваться с ограничениями производительности при дальнейшем уменьшении технологических узлов.
Эти результаты подчеркивают важность разработки материалов для масок, совместимых с требованиями High-NA, где проблема заключается не только в точности лазера, но и в физических материалах, составляющих инфраструктуру процесса фотолитографии.