Une équipe de recherche de l'Académie chinoise des sciences, de l'Université de Jilin et du Laboratoire d'État clé de fabrication avancée de systèmes optiques a publié un article de recherche technique dans la revue iScience en août 2026, examinant le potentiel de l'alliage de platine et de tungstène (Pt-W) en tant que matériau innovant pour les absorbeurs de masques dans la technologie de lithographie ultraviolette extrême (EUV).
Que propose cette recherche ?
L'étude se concentre sur la résolution des défis liés à la prochaine génération de technologie de lithographie à haute ouverture numérique (High-NA EUV). Avec l'augmentation de la précision de fabrication, l'épaisseur des absorbeurs de masques traditionnels devient un obstacle à la qualité de l'image en raison des effets d'ombre tridimensionnels. L'étude propose l'utilisation de l'alliage Pt-W comme alternative caractérisée par des propriétés physiques et optiques améliorées, permettant de réduire l'épaisseur de l'absorbeur sans affecter l'efficacité du blocage de la lumière.
Pourquoi ce développement est-il important ?
Les absorbeurs de masques sont un élément crucial de la précision de la lithographie. Dans les technologies High-NA EUV, la réduction de l'épaisseur de l'absorbeur permet de diminuer les aberrations optiques causées par les angles d'incidence obliques de la lumière, ce qui est essentiel pour la production de semi-conducteurs à des tailles nanométriques plus petites. L'utilisation de l'alliage Pt-W pourrait offrir un meilleur équilibre entre l'indice de réfraction (low-n) et les performances d'imagerie, ouvrant la voie à l'amélioration de la précision des motifs imprimés sur les plaquettes de silicium.
Implications pratiques
L'étude s'appuie sur des techniques de dépôt physique en phase vapeur (PVD) pour créer ces films minces, avec une évaluation précise de leurs propriétés dans des conditions d'exposition à l'EUV. Cette recherche représente une étape dans la quête de nouveaux matériaux capables de répondre aux exigences de la fabrication avancée, alors que les matériaux traditionnels continuent de faire face à des limites de performance avec la miniaturisation accrue des nœuds technologiques.
Ces résultats soulignent l'importance de développer des matériaux de masques compatibles avec les exigences du High-NA, où le défi ne se limite pas à la précision du laser, mais s'étend aux matériaux physiques qui constituent l'infrastructure du processus de photolithographie.