由中国科学院、吉林大学以及光学系统先进制造国家重点实验室组成的研究团队，于2026年8月在iScience期刊上发表了一篇技术论文，探讨了铂钨合金（Pt-W）作为极紫外（EUV）光刻技术掩模吸收体创新材料的潜力。
这项研究提供了什么？
该研究重点探讨了与下一代高数值孔径（High-NA EUV）光刻技术相关的挑战。随着制造精度的提高，传统掩模吸收体的厚度因三维阴影效应而成为影响图像质量的障碍。研究提出使用Pt-W合金作为一种具有改进物理和光学特性的替代材料，能够在不影响遮光效率的情况下减少吸收体厚度。
为什么这一进展很重要？
掩模吸收体是光刻精度的关键要素。在High-NA EUV技术中，减小吸收体厚度可以减少由倾斜光入射角引起的视觉畸变，这对于生产更小纳米尺寸的半导体至关重要。使用Pt-W合金可以在折射率（low-n）和成像性能之间提供更好的平衡，从而为提高硅片上印刷图案的精度打开了大门。
实际影响
该研究基于物理气相沉积（PVD）技术来制备这些薄膜，并对它们在EUV曝光条件下的特性进行了精确评估。这项研究代表了在寻找能够承受先进制造要求的新材料道路上迈出的一步，因为随着技术节点的进一步缩小，传统材料在性能上仍面临局限性。
这些结果强调了开发符合High-NA要求掩模材料的重要性，因为挑战不仅限于激光精度，还延伸到了构成光刻制造工艺基础设施的物理材料。