الرقائق وأشباه الموصلات

سبيكة البلاتين والتنجستن: حل واعد لتقليل سماكة ممتصات أقنعة الطباعة الحجرية EUV عالية الفتحة

كشف باحثون صينيون عن دراسة تقنية تقترح استخدام سبيكة البلاتين والتنجستن (Pt-W) كمادة بديلة لممتصات الأقنعة في تقنية الطباعة الحجرية فوق البنفسجية الشديدة (EUV) ذات الفتحة الرقمية العالية، مما قد يسهم في تحسين دقة التصنيع.

25 أكتوبر 2026
2 دقائق قراءة
12 قراءة
certi.news Editorial Team
سبيكة البلاتين والتنجستن: حل واعد لتقليل سماكة ممتصات أقنعة الطباعة الحجرية EUV عالية الفتحة

نشر فريق بحثي من الأكاديمية الصينية للعلوم وجامعة جيلين ومختبر الدولة الرئيسي للتصنيع المتقدم للأنظمة البصرية، ورقة بحثية تقنية في مجلة iScience في أغسطس 2026، تستعرض إمكانات سبيكة البلاتين والتنجستن (Pt-W) كمادة مبتكرة لممتصات الأقنعة في تقنية الطباعة الحجرية فوق البنفسجية الشديدة (EUV).

ما الذي يقدمه هذا البحث؟

تركز الدراسة على معالجة التحديات المرتبطة بالجيل القادم من تقنية الطباعة الحجرية ذات الفتحة الرقمية العالية (High-NA EUV). مع زيادة دقة التصنيع، تصبح سماكة ممتصات الأقنعة التقليدية عائقاً أمام جودة الصورة بسبب تأثيرات الظل ثلاثية الأبعاد. تقترح الدراسة استخدام سبيكة Pt-W كبديل يتميز بخصائص فيزيائية وبصرية محسنة، مما يسمح بتقليل سماكة الممتص دون التأثير على كفاءة حجب الضوء.

لماذا يهم هذا التطور؟

تعد ممتصات الأقنعة عنصراً حاسماً في دقة الطباعة الحجرية. في تقنيات High-NA EUV، يؤدي تقليل سماكة الممتص إلى تقليل الانحرافات البصرية الناتجة عن زوايا سقوط الضوء المائلة، وهو أمر ضروري لإنتاج أشباه موصلات بأحجام نانوية أصغر. استخدام سبيكة Pt-W قد يوفر توازناً أفضل بين معامل الانكسار (low-n) والأداء التصويري، مما يفتح الباب أمام تحسين دقة الأنماط المطبوعة على الرقائق السيليكونية.

الآثار العملية

تعتمد الدراسة على تقنيات الترسيب الفيزيائي للبخار (PVD) لإنشاء هذه الأغشية الرقيقة، مع تقييم دقيق لخصائصها تحت ظروف التعرض لـ EUV. يمثل هذا البحث خطوة في مسار البحث عن مواد جديدة قادرة على تحمل متطلبات التصنيع المتقدمة، حيث تظل المواد التقليدية تواجه قيوداً في الأداء مع تصغير العقد التقنية بشكل أكبر.

تؤكد هذه النتائج على أهمية تطوير مواد أقنعة متوافقة مع متطلبات High-NA، حيث لا يقتصر التحدي على دقة الليزر فحسب، بل يمتد إلى المواد المادية التي تشكل البنية التحتية لعملية التصنيع الضوئي.

مصدر الخبر
Semiconductor Engineering
فتح المصدر الأصلي ↗
كيف أعددنا هذا الخبر؟

اعتمد الخبر على المصدر الأصلي الموضح أعلاه. قد نستخدم أدوات آلية للمساعدة في الاستخراج والتصنيف والصياغة، لكن النشر يخضع لقواعد تمنع المحتوى المكرر والقصير أو الروتيني منخفض القيمة. اقرأ سياستنا التحريرية.

c
كاتب المقال

certi.news Editorial Team

certi.news Editorial Team

The certi.news editorial team monitors technical sources and reconstructs news, verifying facts and context prior to publication.

من نفس التصنيف

مقالات قد تهمك

عرض كل الأخبار