Un equipo de investigación de la Academia China de Ciencias, la Universidad de Jilin y el Laboratorio Estatal Clave de Fabricación Avanzada de Sistemas Ópticos publicó un artículo técnico en la revista iScience en agosto de 2026, que examina el potencial de la aleación de platino y tungsteno (Pt-W) como material innovador para los absorbedores de máscaras en la tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV).
¿Qué ofrece esta investigación?
El estudio se centra en abordar los desafíos asociados con la próxima generación de tecnología de litografía de alta apertura numérica (High-NA EUV). Con el aumento de la precisión de fabricación, el espesor de los absorbedores de máscaras tradicionales se convierte en un obstáculo para la calidad de la imagen debido a los efectos de sombra tridimensionales. El estudio propone el uso de la aleación Pt-W como una alternativa que se caracteriza por propiedades físicas y ópticas mejoradas, lo que permite reducir el espesor del absorbedor sin afectar la eficiencia del bloqueo de luz.
¿Por qué es importante este desarrollo?
Los absorbedores de máscaras son un elemento crucial en la precisión de la litografía. En las tecnologías High-NA EUV, reducir el espesor del absorbedor disminuye las aberraciones ópticas causadas por los ángulos de incidencia de luz oblicuos, lo cual es esencial para producir semiconductores con tamaños nanométricos más pequeños. El uso de la aleación Pt-W podría proporcionar un mejor equilibrio entre el índice de refracción (low-n) y el rendimiento de imagen, lo que abre la puerta a mejorar la precisión de los patrones impresos en las obleas de silicio.
Implicaciones prácticas
El estudio se basa en técnicas de deposición física de vapor (PVD) para crear estas películas delgadas, con una evaluación precisa de sus propiedades bajo condiciones de exposición a EUV. Esta investigación representa un paso en el camino de la búsqueda de nuevos materiales capaces de soportar los requisitos de la fabricación avanzada, donde los materiales tradicionales siguen enfrentando limitaciones de rendimiento a medida que los nodos técnicos se reducen aún más.
Estos resultados subrayan la importancia de desarrollar materiales de máscara compatibles con los requisitos de High-NA, donde el desafío no se limita solo a la precisión del láser, sino que se extiende a los materiales físicos que forman la infraestructura del proceso de fabricación fotolitográfica.