En son haberleri, açıklamaları ve bağlantılı teknoloji hikâyelerini takip edin.
Georgia Institute of Technology ve Synopsys'ten araştırmacılar, arka uç bağlantı katmanlarında indiyum-galyum oksit geçiş kapıları kullanan, 2 nanometre düğümünde monolitik üç boyutlu tasarıma sahip altı transistörlü bir SRAM hücresi öneriyor. Araştırma, yüksek performanslı silikon temel tasarıma kıyasla alt dizi düzeyinde alanın %25 azaltıldığını ve yazma süresinin %42,2 düşürüldüğünü belirtiyor.