En son haberleri, açıklamaları ve bağlantılı teknoloji hikâyelerini takip edin.
Georgia Institute of Technology ve Synopsys'ten araştırmacılar, arka uç bağlantı katmanlarında indiyum-galyum oksit geçiş kapıları kullanan, 2 nanometre düğümünde monolitik üç boyutlu tasarıma sahip altı transistörlü bir SRAM hücresi öneriyor. Araştırma, yüksek performanslı silikon temel tasarıma kıyasla alt dizi düzeyinde alanın %25 azaltıldığını ve yazma süresinin %42,2 düşürüldüğünü belirtiyor.
Georgia Institute of Technology tarafından hazırlanan bir araştırma makalesi, Mixture of Experts mimarisine dayalı dil modellerini eğitmek için kullanılan geniş ölçekli optik bağlantılarda tekrarlanan termal ayarlama işlemlerinin etkisini analiz ediyor. Yayımlanan özete göre, takılma sürelerinin ortadan kaldırılması, incelenen senaryoda Mixtral 8x7B’nin eğitimini 2,7 kat hızlandırdı.