Следите за последними материалами, объяснениями и связанными технологическими историями.
Исследователи из Georgia Institute of Technology и Synopsys предлагают шестьтранзисторную ячейку SRAM с монолитной трёхмерной архитектурой для 2-нм узла, использующую проходные затворы из оксида индия-галлия в задних слоях металлизации. В исследовании заявлены уменьшение площади на 25% и сокращение времени записи на 42,2% на уровне подмассива по сравнению с высокопроизводительным кремниевым базовым вариантом.