Suivez les dernières actualités, explications et histoires technologiques associées.
Des chercheurs du Georgia Institute of Technology et de Synopsys proposent une cellule SRAM à six transistors dotée d’une conception 3D monolithique au nœud de 2 nm, utilisant des portes de transmission en oxyde d’indium et de gallium dans les couches d’interconnexion arrière. L’étude fait état d’une réduction de 25 % de la surface et d’une diminution de 42,2 % du temps d’écriture au niveau du sous-réseau, par rapport à une référence en silicium à hautes performances.