الرقائق وأشباه الموصلات

10 سبتمبر 2026 🌍عالمي

أخطاء البيانات الصامتة تعيد تعريف اختبار المعالجات وصيانة أساطيل الخوادم

قد تنجح المعالجات في اختبارات التصنيع التقليدية ثم تنتج نتائج حسابية خاطئة لا تترك أثراً واضحاً في السجلات. وتدفع هذه المشكلة صناعة مراكز البيانات إلى توسيع الاختبارات نحو مستوى النظام والأسطول، مع مراقبة مستمرة للعتاد بعد نشره.

اقرأ المقال ←

09 سبتمبر 2026 🇨🇳الصين

Arm تكشف ثلاثة منتجات لدفع الذكاء الاصطناعي على الأجهزة والبنية التحتية والروبوتات

أعلنت Arm عن Arm CSS for Mobile 2 وArm Neoverse CSS N4 وArm Total Design for Physical AI، مع تحسينات تستهدف تشغيل الذكاء الاصطناعي على الهواتف، وبناء البنية التحتية للوكلاء الذكيين، وتسريع تطوير الروبوتات.

اقرأ المقال ←

08 سبتمبر 2026 🌍عالمي

ثلاثة أبحاث تستهدف عنق الزجاجة في ترابطات الشرائح ودوائر SiC وذاكرة الحوسبة داخل الذاكرة

تستعرض أبحاث حديثة من جامعات في سنغافورة واليابان وكوريا الجنوبية ثلاث تقنيات للشرائح: طبقة كربون فائقة الرقة لعزل الوصلات النحاسية، وترانزستورات SiC تعمل عند أكثر من 600 درجة مئوية، وبنية عازلة تحسن موثوقية ترانزستورات القنوات الرأسية المستخدمة في الحوسبة داخل الذاكرة.

اقرأ المقال ←

04 سبتمبر 2026 🇺🇸الولايات المتحدة

Kioxia تعرض تقنيات فلاش وCXL لتخفيف ضغط الذاكرة في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي

عرضت Kioxia خلال فعالية FMS تقنيات تعتمد على فلاش منخفض الكمون ووحدات ذاكرة متصلة عبر CXL لتوسيع سعة الذاكرة في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي، حيث أصبحت DRAM عنصراً مكلفاً ومحدود الإمداد. كما استعرضت الشركة أجيالاً جديدة من XL-FLASH وBiCS FLASH مع تحسينات في السعة وكفاءة الطاقة.

اقرأ المقال ←

02 سبتمبر 2026 🌍عالمي

أربع تحولات ترسم مشهد تصميم الرقائق: من الذكاء الاصطناعي إلى شبكات 6G

يستعرض Semiconductor Engineering مجموعة من الاتجاهات التي تؤثر في تصميم الرقائق والبنى المتقدمة، تشمل تطور المعماريات، واستخدام الذكاء الاصطناعي في تصميم 3D-IC، ونمو قطاع أشباه الموصلات في الهند، ومسار تقنيات 6G.

اقرأ المقال ←

01 سبتمبر 2026 🌍عالمي

ثلاثة أبحاث تدفع GaN نحو جهد أعلى ومقاومة أقل وتبريد أفضل

تستعرض أبحاث حديثة ثلاثة مسارات لتحسين إلكترونيات القدرة والاتصالات المعتمدة على نيتريد الغاليوم: ترانزستوراً يتحمل قرابة 4 كيلوفولت، ووصلة p-GaN منخفضة المقاومة، ودمج ترانزستورات GaN داخل طبقة ماسية لتبديد الحرارة.

اقرأ المقال ←

01 سبتمبر 2026 🇧🇪بلجيكا

imec تطور وحدات تصنيع أساسية لدفع ترانزستورات CFET إلى ما بعد عقدة A7

عرضت imec وحدتين لتحسين قابلية تصنيع ترانزستورات CFET: بنية اتصال خلفي رفعت تيار القيادة وخفضت مقاومة الوصول إلى الأجهزة السفلية، وبنية بوابة تعتمد على dipole-middle لضبط جهد العتبة ضمن ميزانية حرارية ملائمة. النتائج تمثل تقدماً بحثياً، لكنها لا تثبت بعد جاهزية CFET للإنتاج التجاري واسع النطاق.

اقرأ المقال ←

31 أغسطس 2026 🇺🇸الولايات المتحدة

استثمار NVIDIA بقيمة 3.5 مليار دولار في MediaTek يوسّع نفوذها خارج سوق وحدات GPU

تستثمر NVIDIA مبلغ 3.5 مليار دولار في MediaTek، ضمن شراكة تتيح للشركة التايوانية تصميم شرائح ذكاء اصطناعي مخصصة لعملاء السحابة ومختبرات الذكاء الاصطناعي، مع دمجها في مراكز بيانات تعتمد على تقنيات NVIDIA. وتكشف الصفقة عن محاولة NVIDIA الحفاظ على موقعها المحوري مع اتجاه شركات التقنية الكبرى إلى تطوير شرائحها الخاصة.

اقرأ المقال ←