مادة شبه موصلة واسعة النطاق تُستخدم لرفع سرعة التبديل وتقليل الفقد الحراري في إلكترونيات القدرة.
تستعرض أبحاث حديثة من جامعات في سنغافورة واليابان وكوريا الجنوبية ثلاث تقنيات للشرائح: طبقة كربون فائقة الرقة لعزل الوصلات النحاسية، وترانزستورات SiC تعمل عند أكثر من 600 درجة مئوية، وبنية عازلة تحسن موثوقية ترانزستورات القنوات الرأسية المستخدمة في الحوسبة داخل الذاكرة.
يتحول عنق الزجاجة في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي من قدرات المسرّعات وحدها إلى سلسلة تحويل الطاقة كاملة، من شبكة التيار المتردد متوسطة الجهد حتى خطوط التغذية الأقل من فولت واحد داخل الشرائح. وتبرز بنية 800VDC، إلى جانب محولات الحالة الصلبة ومواد SiC وGaN ودوائر PMIC، كمسار لتقليل مراحل التحويل والفقد الحراري واستهلاك النحاس، لكنها تفرض متطلبات جديدة للسلامة والتصميم والتشغيل.