نوع من ترانزستورات تأثير المجال المصنوعة من كربيد السيليكون، أظهر الباحثون تشغيله عند 600 درجة مئوية.
تستعرض أبحاث حديثة من جامعات في سنغافورة واليابان وكوريا الجنوبية ثلاث تقنيات للشرائح: طبقة كربون فائقة الرقة لعزل الوصلات النحاسية، وترانزستورات SiC تعمل عند أكثر من 600 درجة مئوية، وبنية عازلة تحسن موثوقية ترانزستورات القنوات الرأسية المستخدمة في الحوسبة داخل الذاكرة.