نهج حوسبي ينفذ العمليات داخل أو بالقرب من الذاكرة، ويظهر في بحث يستخدم الميمريستور والترانزستور.
يستعرض تقرير Semiconductor Engineering سبع أوراق بحثية تتناول نمو أشباه الموصلات ثنائية الأبعاد، عوازل البوابة فائقة الرقة، طباعة EUV ذات الفتحة العددية العالية، حماية مسرّعات الذكاء الاصطناعي من هجمات قلب البتات، وواجهات الذاكرة والضوئيات المتكاملة.
تستعرض أبحاث حديثة من جامعات في سنغافورة واليابان وكوريا الجنوبية ثلاث تقنيات للشرائح: طبقة كربون فائقة الرقة لعزل الوصلات النحاسية، وترانزستورات SiC تعمل عند أكثر من 600 درجة مئوية، وبنية عازلة تحسن موثوقية ترانزستورات القنوات الرأسية المستخدمة في الحوسبة داخل الذاكرة.