Complementary Junction Field-Effect Transistor

Drei Forschungsarbeiten zielen auf den Engpass bei Chipverbindungen, SiC-Schaltungen und In-Memory-Computing-Speichern

Aktuelle Forschungsarbeiten von Universitäten in Singapur, Japan und Südkorea stellen drei Chiptechnologien vor: eine ultradünne Kohlenstoffschicht zur Isolierung von Kupferverbindungen, SiC-Transistoren, die bei mehr als 600 Grad Celsius arbeiten, und eine Isolatorstruktur, die die Zuverlässigkeit vertikaler Kanaltransistoren für In-Memory-Computing verbessert.