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新加坡、日本和韩国多所大学的最新研究介绍了三种芯片技术：用于隔离铜互连的超薄碳层、可在超过600摄氏度下工作的SiC晶体管，以及提高存内计算中所用垂直沟道晶体管可靠性的绝缘结构。