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Une étude de Georgia Tech et Synopsys propose une cellule SRAM 3D pour le nœud de 2 nm

Une étude de Georgia Tech et Synopsys propose une cellule SRAM 3D pour le nœud de 2 nm

Des chercheurs du Georgia Institute of Technology et de Synopsys proposent une cellule SRAM à six transistors dotée d’une conception 3D monolithique au nœud de 2 nm, utilisant des portes de transmission en oxyde d’indium et de gallium dans les couches d’interconnexion arrière. L’étude fait état d’une réduction de 25 % de la surface et d’une diminution de 42,2 % du temps d’écriture au niveau du sous-réseau, par rapport à une référence en silicium à hautes performances.

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Une étude de Georgia Tech propose un réglage électrique pour réduire les blocages des interconnexions optiques pendant l’entraînement de modèles MoE

Une étude de Georgia Tech propose un réglage électrique pour réduire les blocages des interconnexions optiques pendant l’entraînement de modèles MoE

Un article de recherche du Georgia Institute of Technology analyse l’effet des opérations répétées de réglage thermique dans les interconnexions optiques à grande échelle utilisées pour entraîner des modèles de langage fondés sur l’architecture Mixture of Experts. Selon le résumé publié, la suppression des périodes de blocage a accéléré de 2,7 fois l’entraînement de Mixtral 8x7B dans le scénario étudié.