Следите за последними материалами, объяснениями и связанными технологическими историями.
Исследователи из Georgia Institute of Technology и Synopsys предлагают шестьтранзисторную ячейку SRAM с монолитной трёхмерной архитектурой для 2-нм узла, использующую проходные затворы из оксида индия-галлия в задних слоях металлизации. В исследовании заявлены уменьшение площади на 25% и сокращение времени записи на 42,2% на уровне подмассива по сравнению с высокопроизводительным кремниевым базовым вариантом.
В исследовательской работе Georgia Institute of Technology анализируется влияние повторяющихся операций термической настройки в крупномасштабных оптических соединениях, используемых для обучения языковых моделей на основе архитектуры Mixture of Experts. Согласно опубликованному резюме, устранение задержек ускорило обучение Mixtral 8x7B в 2,7 раза в рассмотренном сценарии.