Исследователи из Georgia Institute of Technology и Synopsys опубликовали техническую статью, в которой предлагается шестьтранзисторная ячейка SRAM (6T) с монолитной трёхмерной архитектурой (Monolithic 3D или M3D), предназначенная для 2-нм узла. Конструкция объединяет проходные затворы из оксида индия-галлия (IGO) в задних слоях металлизации, полностью кремниевую схему фиксации на основе нанолистов, а также заглублённые силовые шины и соединения из рутения (Ru).
Согласно опубликованному резюме статьи, предложенная ячейка обеспечивает уменьшение занимаемой площади на 25% по сравнению с высокопроизводительным кремниевым базовым вариантом. Исследователи также сообщили о сокращении времени записи на 42,2% при оценке конструкции на уровне подмассива, а не только отдельной ячейки.
Как построено предложение?
Концепция M3D предполагает распределение элементов схемы по вертикально наложенным уровням вместо их размещения на одной плоскости. В этой работе проходные затворы из IGO используются в задних слоях металлизации, тогда как схема-защёлка на основе кремниевых нанолистов сохраняется в другой структуре ячейки. Название статьи указывает, что конструкция учитывает особенности технологического процесса, что важно при оценке схем на передовых узлах, таких как 2 нм.
Предложение также включает заглублённые силовые шины и соединения из рутения. В материале эти элементы представлены как части предложенной структуры наряду с анализом характеристик ячейки, однако доступный текст не подтверждает изготовление экспериментального кристалла или коммерческое производство конструкции.
Почему эта новость важна?
SRAM является важной частью многих процессоров, поэтому уменьшение площади ячейки может повысить плотность встроенной в кристалл памяти. Заявленное сокращение времени записи указывает на потенциальное преимущество для производительности операций хранения, особенно на уровне подмассивов, которые включают ряд ячеек и создают иные сложности подключения и управления по сравнению с отдельной ячейкой.
Редакционная оценка certi.news заключается в том, что значение этой работы состоит не в запуске продукта, а в проверке проектного подхода, объединяющего трёхмерное вертикальное стеккирование и оксидные материалы в задних слоях металлизации в рамках цели по созданию 2-нм узла. Тем не менее приведённые показатели являются результатами исследования, связанными с конструкцией и представленной в статье оценкой. Доступный материал не содержит достаточных подробностей о полной методике измерений, технологическом выходе, надёжности ячейки или степени её совместимости с реальными производственными линиями; поэтому его нельзя считать доказательством коммерческой готовности.
Статья и её авторы
Статья называется A Process-Aware Hybrid Si/IGO Monolithic-3D 6T SRAM with BEOL Pass-Gates for the 2nm Node и была опубликована на arXiv в августе 2026 года. Среди её авторов — Po-Chuan Wang, Dongwon Jang, Eknath Sarkar, Alexei Svizhenko, Md. Nahid Haque Shazon, Piyush Kumar, Suman Datta и Azad Naeemi.