Durante el evento FMS: the Future of Memory and Storage, celebrado en Santa Clara entre el 4 y el 6 de agosto de 2026, Kioxia afirmó que los centros de datos de inteligencia artificial necesitan alternativas que amplíen la capa de memoria y almacenamiento junto con la DRAM y la HBM. La empresa presentó tecnologías de flash y módulos de memoria basados en la interfaz Compute Express Link (CXL) para abordar este desafío, y subrayó que el flash convencional no puede sustituir simplemente a la DRAM debido a la latencia y al número de ciclos de escritura.
¿Por qué buscan los centros de inteligencia artificial alternativas a la DRAM?
Kioxia explicó que la expansión de los centros de datos de inteligencia artificial aumenta la demanda de HBM y DRAM, mientras que las limitaciones de suministro elevan el coste de estos componentes. Además, la ampliación de la infraestructura de los centros añade una carga adicional al coste. La idea de utilizar flash en la capa de memoria se basa en la gran diferencia de capacidad: un chip de DRAM de 32 gigabits equivale a un chip de flash de 2 terabits, es decir, una capacidad aproximadamente 64 veces superior.
Sin embargo, esta diferencia no elimina las limitaciones técnicas. El flash es más lento en lectura y escritura, y su resistencia a las operaciones de escritura es limitada en comparación con la DRAM. Kioxia considera que el patrón de acceso a los datos en los centros de inteligencia artificial permite distribuir las funciones: la empresa señala que aproximadamente el 20 % de los datos podría concentrar el 80 % de los accesos. Los datos más activos pueden mantenerse en la DRAM y la parte menos utilizada trasladarse a un flash de baja latencia.
XL-FLASH y memoria CXL
Kioxia presentó la tecnología XL-FLASH como una memoria flash de baja latencia. La empresa afirma que su tiempo de lectura es inferior a 5 microsegundos, aproximadamente diez veces menor que el del flash convencional, con un diseño orientado a entre 150 000 y 250 000 operaciones de reescritura durante un periodo de uso de cinco años. No obstante, el uso de XL-FLASH por sí solo no consigue un tiempo comparable al de la DRAM, por lo que la empresa mostró su integración con un controlador específico y un módulo de memoria mediante CXL.
Según la presentación, el tiempo de lectura de un módulo CXL que combina XL-FLASH y el controlador específico es inferior a 10 microsegundos. En un ejemplo de sistema que incluye el procesador, un módulo de DRAM, un módulo CXL y almacenamiento, se sustituyó una memoria DRAM de 225 gigabytes por una configuración con 148 gigabytes de DRAM y 77 gigabytes de memoria CXL, con una disminución del rendimiento no superior al 5 %, según Kioxia. La empresa también afirmó que la misma configuración podría duplicar la capacidad y alcanzar un rendimiento aproximadamente 1,3 veces superior al de un sistema compuesto únicamente por DRAM con un coste equivalente.
La eficiencia energética sigue siendo un factor decisivo en los SSD
El problema de los centros de datos de inteligencia artificial no se limita a la capacidad y la latencia; la energía de funcionamiento de los SSD también influye en el diseño del sistema. Kioxia señaló la transición de las interfaces SSD de PCIe 5.0 a PCIe 6.0 y posteriormente a PCIe 7.0, mientras que las velocidades de lectura y escritura siguen estando vinculadas a los límites de energía disponibles.
La empresa mostró la décima generación de BiCS FLASH TLC, que aumenta la densidad de bits aproximadamente un 59 % en comparación con la octava generación, con una reducción del 40 % en el consumo de energía de lectura y del 30 % en la energía de escritura, según los datos de la presentación. También indicó que un paquete que combina chips de flash con un chip de interfaz puede alcanzar una capacidad de 4 terabytes. Kioxia trabaja asimismo en la tercera generación de XL-FLASH y la décima generación de BiCS FLASH QLC.
¿Qué cambia en la práctica?
Las tecnologías presentadas no apuntan a sustituir completamente la DRAM, sino a construir una capa intermedia entre la memoria principal y el almacenamiento, destinada a los datos menos activos cuando aumentar la capacidad es más importante que alcanzar la latencia mínima posible. Los resultados reales seguirán dependiendo de la compatibilidad de la plataforma con los módulos CXL, así como del controlador, el software y el patrón de acceso a los datos. Además, el material disponible cubre únicamente la primera parte del informe de MONOist, por lo que no incluye los detalles de las cuatro secciones que Kioxia dijo haber dedicado a las aplicaciones de SSD en los centros de datos de inteligencia artificial.