Chips e semicondutores

Micron revela roteiro para 2027: memória DDR6 de 1 TB e tecnologias NAND avançadas

A Micron revelou seus planos técnicos para 2027, que incluem o lançamento da memória DDR6 com o dobro da largura de banda da DDR5 e chips NAND com mais de 400 camadas, com foco no suporte à infraestrutura de inteligência artificial.

2026-10-23
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certi.news
Micron revela roteiro para 2027: memória DDR6 de 1 TB e tecnologias NAND avançadas

Desenvolvimentos técnicos em memória DRAM e NAND

A Micron anunciou detalhes de seu roteiro técnico para os próximos anos, com foco no fortalecimento da infraestrutura de inteligência artificial. A empresa baseia seus planos no novo nó de fabricação 1δ (1-Delta), que é o sucessor do nó 1γ (1-Gamma) e se destaca por capacidades de controle em nível de angstrom e uma estrutura CMOS com tecnologia HKMG, permitindo um aumento na densidade de bits de cerca de 25% em comparação com a geração anterior.

O futuro da memória DDR6 e LPDDR6

A Micron planeja oferecer suporte a padrões de memória de próxima geração, como DDR6 e LPDDR6, por meio do nó 1-Delta, onde se espera que a DDR6 forneça o dobro da largura de banda (Bandwidth) oferecida pela DDR5. A empresa direciona essa tecnologia principalmente para servidores de centros de dados de inteligência artificial para garantir alta confiabilidade, em vez de visar diretamente computadores pessoais em uma fase inicial.

A empresa também revelou planos para produzir módulos 1TB RDIMM, que visam atender às necessidades de cargas de trabalho massivas em inteligência artificial. Em relação à memória LPDDR6, as previsões indicam uma melhoria na eficiência energética de 35% em comparação com a LPDDR5, com colaboração contínua com parceiros como a Meta para implementar essa memória em centros de dados.

Inovações em design e armazenamento

A Micron está se movendo para a adoção do design 6F² DRAM em vez de 4F², a fim de superar as limitações de escalabilidade e complexidade associadas aos designs de capacitores. A empresa também está trabalhando no desenvolvimento de tecnologias avançadas que incluem:

  • vHBM: um design empilhado verticalmente que coloca a memória diretamente sobre o chip de processamento para aumentar a eficiência da largura de banda por watt.
  • NAND G11: uma nova geração de memória flash NAND que contém mais de 400 camadas e visa dobrar a densidade de bits e aumentar a velocidade de entrada/saída em 1,5 vezes, reduzindo o consumo de energia em 25%.

O que significa este desenvolvimento?

Este roteiro representa uma resposta direta à crescente demanda por alto desempenho em centros de dados de inteligência artificial. A transição para tecnologias como 6F² e vHBM indica que a empresa busca superar os limites físicos tradicionais da fabricação de semicondutores. O nó 1-Delta está programado para entrar na fase de produção comercial no segundo semestre de 2027, estabelecendo um cronograma claro para as empresas que dependem dessa infraestrutura para expandir suas capacidades computacionais.

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TechSpot News
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