Чипы и полупроводники

Micron раскрывает дорожную карту на 2027 год: память DDR6 емкостью 1 ТБ и передовые технологии NAND

Компания Micron представила свои технологические планы на 2027 год, которые включают выпуск памяти DDR6 с удвоенной пропускной способностью по сравнению с DDR5, чипы NAND с более чем 400 слоями, а также акцент на поддержке инфраструктуры искусственного интеллекта.

2026-10-23
2 мин. чтения
14 просмотров
certi.news
Micron раскрывает дорожную карту на 2027 год: память DDR6 емкостью 1 ТБ и передовые технологии NAND

Технологические разработки в области DRAM и NAND

Компания Micron объявила подробности своей технологической дорожной карты на ближайшие годы, сделав упор на укрепление инфраструктуры искусственного интеллекта. В своих планах компания опирается на новый производственный узел 1δ (1-Delta), который является преемником узла 1γ (1-Gamma). Он отличается возможностями управления на уровне ангстремов и структурой CMOS с технологией HKMG, что позволяет увеличить плотность битов примерно на 25% по сравнению с предыдущим поколением.

Будущее памяти DDR6 и LPDDR6

Micron планирует поддерживать стандарты памяти следующего поколения, такие как DDR6 и LPDDR6, с помощью узла 1-Delta. Ожидается, что DDR6 обеспечит удвоенную пропускную способность (Bandwidth) по сравнению с DDR5. Компания ориентирует эту технологию в первую очередь на серверы центров обработки данных для искусственного интеллекта, чтобы обеспечить высокую надежность, а не на прямой выход на рынок персональных компьютеров на начальном этапе.

Компания также раскрыла планы по производству модулей 1TB RDIMM, которые призваны удовлетворить потребности огромных рабочих нагрузок в сфере ИИ. Что касается памяти LPDDR6, прогнозы указывают на повышение энергоэффективности на 35% по сравнению с LPDDR5, при этом продолжается сотрудничество с такими партнерами, как Meta, для внедрения этой памяти в центрах обработки данных.

Инновации в дизайне и хранении данных

Micron переходит к использованию дизайна 6F² DRAM вместо 4F², чтобы преодолеть ограничения масштабирования и сложности, связанные с конструкциями конденсаторов. Компания также работает над развитием передовых технологий, включая:

  • vHBM: вертикально стекируемый дизайн, при котором память размещается непосредственно над процессором для повышения эффективности пропускной способности на ватт.
  • NAND G11: новое поколение флэш-памяти NAND, содержащее более 400 слоев. Оно нацелено на удвоение плотности битов и увеличение скорости ввода-вывода в 1,5 раза при снижении энергопотребления на 25%.

Что означает это развитие?

Эта дорожная карта представляет собой прямой ответ на растущий спрос на высокую производительность в центрах обработки данных для ИИ. Переход к таким технологиям, как 6F² и vHBM, указывает на то, что компания стремится выйти за рамки традиционных физических ограничений производства полупроводников. Ожидается, что узел 1-Delta выйдет на стадию коммерческого производства во второй половине 2027 года, что устанавливает четкий график для компаний, полагающихся на эту инфраструктуру при расширении своих вычислительных мощностей.

Источник новости
c
Автор

certi.news

Изучить сюжет

Связанные темы и сущности

В той же категории

Вам также может понравиться

Все новости