Développements technologiques dans la mémoire DRAM et NAND
La société Micron a annoncé les détails de sa feuille de route technologique pour les années à venir, en mettant l'accent sur le renforcement de l'infrastructure de l'intelligence artificielle. L'entreprise fonde ses plans sur le nouveau nœud de fabrication 1δ (1-Delta), qui succède au nœud 1γ (1-Gamma). Ce dernier se distingue par des capacités de contrôle à l'échelle de l'angström et une structure CMOS utilisant la technologie HKMG, permettant une augmentation de la densité de bits d'environ 25 % par rapport à la génération précédente.
L'avenir de la mémoire DDR6 et LPDDR6
Micron prévoit de prendre en charge les normes de mémoire de nouvelle génération telles que la DDR6 et la LPDDR6 via le nœud 1-Delta. Il est attendu que la DDR6 offre une bande passante doublée par rapport à la DDR5. L'entreprise oriente cette technologie principalement vers les serveurs de centres de données d'intelligence artificielle pour garantir une haute fiabilité, plutôt que de cibler directement les ordinateurs personnels dans une première phase.
La société a également révélé des plans pour la production de modules 1TB RDIMM, visant à répondre aux besoins des charges de travail massives en intelligence artificielle. Concernant la mémoire LPDDR6, les prévisions indiquent une amélioration de l'efficacité énergétique de 35 % par rapport à la LPDDR5, avec une collaboration continue avec des partenaires tels que Meta pour déployer cette mémoire dans les centres de données.
Innovations dans la conception et le stockage
Micron s'oriente vers l'adoption d'une conception 6F² DRAM au lieu de 4F², afin de surmonter les limites de mise à l'échelle et de complexité associées aux conceptions de condensateurs. L'entreprise travaille également sur le développement de technologies avancées incluant :
- vHBM : une conception empilée verticalement qui place la mémoire directement au-dessus de la puce de traitement pour augmenter l'efficacité de la bande passante par watt.
- NAND G11 : une nouvelle génération de mémoire flash NAND contenant plus de 400 couches, visant à doubler la densité de bits et à augmenter la vitesse d'entrée/sortie de 1,5 fois, tout en réduisant la consommation d'énergie de 25 %.
Que signifie cette évolution ?
Cette feuille de route représente une réponse directe à la demande croissante de haute performance dans les centres de données d'intelligence artificielle. Le passage à des technologies telles que 6F² et vHBM indique que l'entreprise cherche à dépasser les limites physiques traditionnelles de la fabrication de semi-conducteurs. Le nœud 1-Delta devrait entrer en phase de production commerciale au cours du second semestre 2027, établissant un calendrier clair pour les entreprises qui dépendent de cette infrastructure pour étendre leurs capacités informatiques.