DRAM 和 NAND 的技术进展
美光（Micron）公司公布了其未来几年的技术路线图细节，重点在于加强人工智能基础设施。该公司计划基于全新的 1δ (1-Delta) 制造节点，这是 1γ (1-Gamma) 节点的继任者。该节点具备埃米级控制能力和 HKMG CMOS 结构，与上一代相比，位密度提高了约 25%。
DDR6 和 LPDDR6 内存的未来
美光计划通过 1-Delta 节点支持 DDR6 和 LPDDR6 等下一代内存标准。预计 DDR6 将提供 DDR5 两倍的带宽。公司主要将该技术面向人工智能数据中心服务器以确保高可靠性，而非在初期直接针对个人电脑市场。
公司还披露了生产 1TB RDIMM 模块的计划，旨在满足人工智能大规模工作负载的需求。关于 LPDDR6 内存，预计其能效将比 LPDDR5 提高 35%，并正与 Meta 等合作伙伴持续协作，以在数据中心部署此类内存。
设计与存储创新
美光正转向采用 6F² DRAM 设计而非 4F²，以克服与电容器设计相关的扩展和复杂性限制。公司还在开发先进技术，包括：
- vHBM：一种垂直堆叠设计，将内存直接置于处理器芯片上方，以提高每瓦带宽效率。
- NAND G11：新一代 NAND 闪存，层数超过 400 层，旨在将位密度翻倍，并将输入/输出速度提高 1.5 倍，同时降低 25% 的功耗。
这一进展意味着什么？
该路线图直接响应了人工智能数据中心对高性能的日益增长的需求。向 6F² 和 vHBM 等技术的过渡表明，该公司正寻求突破半导体制造的传统物理极限。1-Delta 节点计划于 2027 年下半年进入商业化生产阶段，这为依赖此类基础设施来扩展计算能力的企业设定了明确的时间表。