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新加坡、日本和韩国多所大学的最新研究介绍了三种芯片技术：用于隔离铜互连的超薄碳层、可在超过600摄氏度下工作的SiC晶体管，以及提高存内计算中所用垂直沟道晶体管可靠性的绝缘结构。
人工智能数据中心的瓶颈正从单纯的加速器能力转向完整的能源转换链路，即从中压交流电网一直延伸到芯片内部低于1伏的供电线路。800VDC架构，以及固态变压器、SiC和GaN材料与PMIC电路，正成为减少转换级数、降低热损耗和铜材消耗的路径，但也带来了新的安全、设计和运行要求。