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Pesquisas recentes apresentam três caminhos para melhorar a eletrônica de potência e as comunicações baseadas em nitreto de gálio: um transistor que suporta quase 4 quilovolts, uma junção p-GaN de baixa resistência e a integração de transistores de GaN em uma camada de diamante para dissipação de calor.
O gargalo energético nos data centers de inteligência artificial está migrando da capacidade dos aceleradores isoladamente para toda a cadeia de conversão de energia, desde a rede de corrente alternada de média tensão até as linhas de alimentação inferiores a um volt dentro dos chips. A arquitetura de 800VDC, juntamente com conversores de estado sólido, materiais SiC e GaN e circuitos PMIC, surge como um caminho para reduzir as etapas de conversão, as perdas térmicas e o consumo de cobre, mas impõe novos requisitos de segurança, projeto e operação.