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最新研究展示了改善基于氮化镓的功率电子和通信技术的三条路径：一种可承受约 4 千伏的晶体管、一种低电阻 p-GaN 接触，以及将 GaN 晶体管集成到金刚石层中以实现散热。
人工智能数据中心的瓶颈正从单纯的加速器能力转向完整的能源转换链路，即从中压交流电网一直延伸到芯片内部低于1伏的供电线路。800VDC架构，以及固态变压器、SiC和GaN材料与PMIC电路，正成为减少转换级数、降低热损耗和铜材消耗的路径，但也带来了新的安全、设计和运行要求。