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Investigadores de Georgia Tech y Synopsys proponen una celda SRAM tridimensional para el nodo de 2 nanómetros

Investigadores de Georgia Tech y Synopsys proponen una celda SRAM tridimensional para el nodo de 2 nanómetros

Investigadores del Georgia Institute of Technology y Synopsys proponen una celda SRAM de seis transistores con un diseño tridimensional monolítico para el nodo de 2 nanómetros, utilizando puertas de paso de óxido de indio y galio en las capas de interconexión posteriores. El estudio señala una reducción del área del 25 % y una disminución del tiempo de escritura del 42,2 % a nivel de submatriz frente a una línea base de silicio de alto rendimiento.

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Un estudio de Georgia Tech propone un ajuste eléctrico para reducir el atasco de las interconexiones ópticas durante el entrenamiento de modelos MoE

Un estudio de Georgia Tech propone un ajuste eléctrico para reducir el atasco de las interconexiones ópticas durante el entrenamiento de modelos MoE

Un artículo de investigación del Georgia Institute of Technology analiza el efecto de las operaciones repetidas de ajuste térmico en interconexiones ópticas a gran escala utilizadas para entrenar modelos lingüísticos basados en la arquitectura Mixture of Experts. Según el resumen publicado, eliminar los periodos de atasco aceleró 2,7 veces el entrenamiento de Mixtral 8x7B en el escenario estudiado.