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Pesquisa da Georgia Tech e da Synopsys propõe célula SRAM tridimensional para o nó de 2 nanômetros

Pesquisa da Georgia Tech e da Synopsys propõe célula SRAM tridimensional para o nó de 2 nanômetros

Pesquisadores do Georgia Institute of Technology e da Synopsys propõem uma célula SRAM de seis transistores com design tridimensional monolítico no nó de 2 nanômetros, usando portas de passagem de óxido de índio e gálio nas camadas de interconexão traseiras. O estudo relata uma redução de área de 25% e uma redução do tempo de escrita de 42,2% no nível da submatriz, em comparação com uma linha de base de silício de alto desempenho.

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Estudo da Georgia Tech propõe ajuste elétrico para reduzir a instabilidade das interconexões ópticas durante o treinamento de modelos MoE

Estudo da Georgia Tech propõe ajuste elétrico para reduzir a instabilidade das interconexões ópticas durante o treinamento de modelos MoE

Um artigo de pesquisa do Georgia Institute of Technology analisa o impacto de operações repetidas de ajuste térmico em interconexões ópticas de grande escala usadas para treinar modelos de linguagem baseados na arquitetura Mixture of Experts. Segundo o resumo publicado, a eliminação dos períodos de instabilidade acelerou o treinamento do Mixtral 8x7B em 2,7 vezes no cenário estudado.