Intel Foundry正通过先进封装技术扩大人工智能半导体的规模，而不是依赖单个超大型芯片。这些技术包括用于堆叠芯片的Foveros、利用嵌入式硅桥连接芯片的EMIB，以及用于增加将电力直接输送至芯片的通道的EMIB-T。
这些方法可以将小型专用芯片，即所谓的chiplet，集中在一个封装内，使其作为一个高性能单元运行。随着人工智能工作负载规模不断扩大，这种方法的重要性日益提升，因为这些工作负载需要连接多个组件，并高效传输大量数据。
新墨西哥州设施突破传统封装限制
在英特尔位于新墨西哥州里奥兰乔市的设施中，先进封装技术正在Fab 9设施内扩展。公司表示，目前这些工艺可将封装扩展至其所称当前行业标准的八倍，并计划到2028年超过12倍。
英特尔将这一趋势描述为从单个大型芯片时代转向由多个芯片组成的系统，类似于一幅硅芯片马赛克。根据新墨西哥州Fab 9先进封装设施负责人凯蒂·布罗蒂的说法，该地点于1980年开始运营，当时有25名员工；如今已拥有2700名员工和500家供应商，共同推动先进封装技术在美国的推出。
Foveros技术如何运作？
Foveros通过硅中介层连接专用chiplet，然后将其组装成一个系统。英特尔解释称，该流程首先由芯片贴装工具将chiplet放置在硅晶圆上。随后，晶圆被转移至其他设备进行系统集成，之后在芯片下方及周围的空间填充环氧材料，以便将其固定。
最后，晶圆使用水冷刀片切割成独立封装。这种方法可以在同一晶圆内集成采用不同设计或不同工艺节点制造的芯片。
英特尔表示，Foveros技术有助于延长笔记本电脑的电池续航时间，方法是将耗电量较大的电路置于更加高效的制造节点上。它还可以实现更薄的设备，在更小的空间内配置更强的功能，包括边缘计算设备。
EMIB连接与EMIB-T的发展
EMIB技术使用小型高速硅桥，并将其嵌入基板中芯片所需的位置。该技术不使用连接整个封装的大型硅中介层，而是在相邻芯片之间建立直接连接路径；英特尔表示，这有助于降低成本并提高效率。
EMIB-T由英特尔称为2026年的最新发展，它通过桥接器增加通道，将电力直接输送至芯片，而不是绕过芯片传输。其目标是提高能源效率，并引导高带宽内存HBM技术所需的信号。
Intel Foundry表示，将来自不同来源的chiplet组合起来，并将其置于最大的工业基板上，这种能力为支持下一代数据中心人工智能引擎提供了灵活性。