تعمل Intel Foundry على توسيع نطاق أشباه موصلات الذكاء الاصطناعي عبر تقنيات التغليف المتقدم، بدلاً من الاعتماد على شريحة واحدة ضخمة. وتشمل هذه التقنيات Foveros لتكديس الشرائح، وEMIB لربطها بجسور سيليكونية مدمجة، وEMIB-T لإضافة قنوات توصل الطاقة مباشرة إلى الشرائح.
تتيح هذه الأساليب جمع شرائح صغيرة ومتخصصة، أو ما يعرف بالـchiplets، داخل حزمة واحدة تتصرف كوحدة عالية الأداء. وتكتسب هذه المقاربة أهمية مع تزايد أحجام أعباء الذكاء الاصطناعي، التي تتطلب ربط مكونات متعددة ونقل كميات كبيرة من البيانات بكفاءة.
منشآت نيو مكسيكو تتجاوز حدود الحزمة التقليدية
في منشآت إنتل بمدينة ريو رانشو في ولاية نيو مكسيكو، تتوسع تقنيات التغليف المتقدم في منشأة Fab 9. وتقول الشركة إن هذه العمليات تسمح حالياً بتوسيع الحزم إلى ثمانية أضعاف ما تصفه بالمعيار الصناعي الحالي، مع استهداف تجاوز 12 ضعفاً بحلول عام 2028.
وتصف إنتل هذا الاتجاه بأنه انتقال من عصر الشريحة الكبيرة الواحدة إلى نظام مكوّن من شرائح متعددة، أشبه بفسيفساء من السيليكون. ووفقاً لكاتي بروتي، مديرة منشأة Fab 9 للتغليف المتقدم في نيو مكسيكو، بدأ الموقع في عام 1980 بـ25 موظفاً، بينما يضم اليوم 2700 موظف و500 مورد يساهمون في طرح تقنيات التغليف المتقدم في الولايات المتحدة.
كيف تعمل تقنية Foveros؟
تعتمد Foveros على توصيل وحدات chiplets المتخصصة بوسيط من السيليكون، قبل تجميعها في نظام واحد. وتشرح إنتل أن العملية تبدأ بأداة تثبيت الشرائح، التي تضع وحدات chiplets على رقاقة السيليكون. بعد ذلك تنتقل الرقاقة إلى معدات أخرى لدمج النظام، ثم تُملأ المساحات الموجودة أسفل الشرائح وحولها بمادة إيبوكسية لتثبيتها.
وفي المرحلة الأخيرة، تُقطّع الرقائق إلى حزم منفردة باستخدام شفرات مبردة بالماء. ويسمح هذا الأسلوب بدمج شرائح ذات تصميمات مختلفة أو مصنّعة باستخدام تقنيات عقد مختلفة داخل رقاقة واحدة.
وبحسب إنتل، يمكن لتقنية Foveros المساعدة في إطالة عمر بطاريات الحواسيب المحمولة عبر وضع الدوائر التي تستهلك طاقة كبيرة على عقد تصنيع أكثر كفاءة. كما تتيح تصميم أجهزة أنحف، ووضع قدرات أكبر في مساحة أصغر، بما في ذلك أجهزة الحوسبة الطرفية.
روابط EMIB وتطور EMIB-T
تستخدم تقنية EMIB جسوراً صغيرة وعالية السرعة من السيليكون، تُدمج داخل الركيزة في المواضع التي تحتاج إليها الشرائح فقط. وبدلاً من استخدام وسيط سيليكون كبير يربط كامل الحزمة، تنشئ التقنية مسارات اتصال مباشرة بين الشرائح المتجاورة، وهو ما تقول إنتل إنه يساعد في خفض التكلفة وتحسين الكفاءة.
أما EMIB-T، التي تقدمها إنتل بوصفها أحدث تطور في عام 2026، فتضيف قنوات عبر الجسر لتوصيل الطاقة مباشرة إلى الشرائح بدلاً من تمريرها حولها. ويهدف ذلك إلى تحسين كفاءة الطاقة وتوجيه الإشارات المطلوبة لتقنيات الذاكرة عالية النطاق الترددي HBM.
وتقول Intel Foundry إن القدرة على الجمع بين chiplets من مصادر مختلفة ووضعها على أكبر الركائز الصناعية تتيح مرونة لدعم الجيل التالي من محركات الذكاء الاصطناعي المستخدمة في مراكز البيانات.
كيف أعددنا هذا الخبر؟
اعتمد الخبر على المصدر الأصلي الموضح أعلاه. قد نستخدم أدوات آلية للمساعدة في الاستخراج والتصنيف والصياغة،
لكن النشر يخضع لقواعد تمنع المحتوى المكرر والقصير أو الروتيني منخفض القيمة.
اقرأ سياستنا التحريرية.