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싱가포르, 일본, 한국의 대학에서 진행된 최신 연구는 세 가지 칩 기술을 소개한다. 구리 상호연결을 절연하는 초박형 탄소층, 600°C 이상에서 작동하는 SiC 트랜지스터, 인메모리 컴퓨팅에 사용되는 수직 채널 트랜지스터의 신뢰성을 향상하는 절연 구조다.
인공지능 데이터센터의 병목은 가속기 성능만이 아니라 중전압 교류 전력망에서 칩 내부의 1볼트 미만 전원 레일에 이르는 전체 전력 변환 체인으로 이동하고 있다. 800VDC 아키텍처는 솔리드 스테이트 변압기, SiC·GaN 소재, PMIC 회로와 함께 변환 단계와 열 손실, 구리 소비를 줄이는 경로로 부상하고 있지만, 안전·설계·운영 측면에서 새로운 요구 사항을 제기한다.