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Des recherches récentes menées par des universités de Singapour, du Japon et de Corée du Sud présentent trois technologies pour les puces : une couche de carbone ultrafine destinée à isoler les interconnexions en cuivre, des transistors SiC fonctionnant à plus de 600 °C, et une structure diélectrique améliorant la fiabilité des transistors à canal vertical utilisés pour l’informatique en mémoire.
Le goulot d’étranglement des centres de données d’intelligence artificielle ne réside plus uniquement dans les capacités des accélérateurs, mais dans l’ensemble de la chaîne de conversion d’énergie, depuis le réseau à courant alternatif moyenne tension jusqu’aux lignes d’alimentation inférieures à un volt à l’intérieur des puces. L’architecture 800VDC, ainsi que les transformateurs à semi-conducteurs, les matériaux SiC et GaN et les circuits PMIC, apparaît comme une voie permettant de réduire le nombre d’étapes de conversion, les pertes thermiques et la consommation de cuivre, mais elle impose de nouvelles exigences en matière de sécurité, de conception et d’exploitation.