توصيل للطاقة من الجهة الخلفية للرقاقة، يتطلب ربطًا للرقائق وترقيقًا ومحاذاة دقيقة بين جانبيها.
تستعد صناعة الرقائق للانتقال إلى ترانزستورات CFET ثلاثية الأبعاد، التي تضع ترانزستورات nFET وpFET فوق بعضها لرفع الكثافة والأداء، لكن نجاحها سيتوقف على دقة الوصلات والتحكم في العيوب والالتواء. وتتبنى Intel وTSMC وSamsung وIBM مسارات تصنيع مختلفة، مع اعتماد متزايد على المحاكاة متعددة الفيزياء والتصنيع الافتراضي.