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Die Chipindustrie bereitet sich auf den Übergang zu dreidimensionalen CFET-Transistoren vor, bei denen nFET- und pFET-Transistoren übereinander angeordnet werden, um Dichte und Leistung zu erhöhen. Der Erfolg wird jedoch von der Präzision der Verbindungen sowie der Kontrolle von Defekten und Verwindungen abhängen. Intel, TSMC, Samsung und IBM verfolgen unterschiedliche Fertigungswege, wobei die Nutzung von Multiphysik-Simulationen und virtueller Fertigung zunimmt.