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半導体業界は、密度と性能を高めるためにnFETとpFETを上下に重ねる3次元CFETトランジスタへの移行を準備している。しかし、その成功は相互接続の精度、欠陥の制御、反りへの対応にかかっている。Intel、TSMC、Samsung、IBMは異なる製造アプローチを採用しており、マルチフィジックスシミュレーションとバーチャル製造への依存が高まっている。