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芯片行业正准备转向三维CFET晶体管。这种晶体管将nFET和pFET上下堆叠，以提升密度和性能，但其成功将取决于互连精度、缺陷控制和翘曲控制。Intel、TSMC、Samsung和IBM正在采用不同的制造路径，同时越来越多地依赖多物理场仿真和虚拟制造。