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imecは、CFETトランジスタの製造性を高める2つのモジュールを発表した。1つはバックサイド接続構造で、駆動電流を高め、下部デバイスへのアクセス抵抗を低減した。もう1つはdipole-middleを採用したゲート構造で、適切な熱予算内でしきい値電圧を調整できる。これらの結果は研究上の進展を示すものだが、CFETが大規模な商用生産に対応できることをまだ証明するものではない。
半導体業界は、密度と性能を高めるためにnFETとpFETを上下に重ねる3次元CFETトランジスタへの移行を準備している。しかし、その成功は相互接続の精度、欠陥の制御、反りへの対応にかかっている。Intel、TSMC、Samsung、IBMは異なる製造アプローチを採用しており、マルチフィジックスシミュレーションとバーチャル製造への依存が高まっている。