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Semiconductor Engineeringの報告書が、二次元半導体の成長、超薄型ゲート絶縁膜、高開口数EUVリソグラフィー、ビット反転攻撃からのAIアクセラレーター保護、メモリーインターフェース、集積フォトニクスを扱う7本の研究論文を概説する。
シンガポール、日本、韓国の大学による最新研究では、3つのチップ技術が紹介されている。銅配線の絶縁に用いる超薄型カーボン層、600℃超で動作するSiCトランジスター、インメモリーコンピューティングで使われる垂直チャネルトランジスターの信頼性を向上させる絶縁構造である。