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Semiconductor Engineering의 보고서는 2차원 반도체 성장, 초박막 게이트 절연체, 고개구수 EUV 노광, 비트 플립 공격으로부터 AI 가속기를 보호하는 기술, 메모리 인터페이스 및 집적 광학을 다루는 7개의 연구 논문을 소개한다.
싱가포르, 일본, 한국의 대학에서 진행된 최신 연구는 세 가지 칩 기술을 소개한다. 구리 상호연결을 절연하는 초박형 탄소층, 600°C 이상에서 작동하는 SiC 트랜지스터, 인메모리 컴퓨팅에 사용되는 수직 채널 트랜지스터의 신뢰성을 향상하는 절연 구조다.