المصطلحات

UCIe

واجهة كهربائية وبروتوكول يمكن تحليل عقوده والتحقق منها رسمياً، كما ورد في المادة.

أحدث التغطيات

CN
عند ما دون 2 نانومتر، تتلاشى الحدود بين مراحل تصنيع الرقائق

عند ما دون 2 نانومتر، تتلاشى الحدود بين مراحل تصنيع الرقائق

يؤدي الانتقال إلى عقد تصنيع دون 2 نانومتر إلى دمج أدوار الاختبار والقياس والفحص والتصنيع، مع ارتفاع حساسية الشرائح للانحرافات والعيوب. ويشير تحليل Semiconductor Engineering إلى أن إدارة البيانات عبر دورة حياة الشريحة، من التصميم إلى التشغيل، أصبحت شرطاً للحفاظ على العائد والموثوقية.

CN
أربع تحولات ترسم مشهد تصميم الرقائق: من الذكاء الاصطناعي إلى شبكات 6G

أربع تحولات ترسم مشهد تصميم الرقائق: من الذكاء الاصطناعي إلى شبكات 6G

يستعرض Semiconductor Engineering مجموعة من الاتجاهات التي تؤثر في تصميم الرقائق والبنى المتقدمة، تشمل تطور المعماريات، واستخدام الذكاء الاصطناعي في تصميم 3D-IC، ونمو قطاع أشباه الموصلات في الهند، ومسار تقنيات 6G.

CN
الفوتونيات تعيد تعريف تصميم أنظمة الشرائح المترابطة

الفوتونيات تعيد تعريف تصميم أنظمة الشرائح المترابطة

دمج الشرائح الفوتونية قرب المعالجات يَعِد بتقليل استهلاك الطاقة ورفع عرض النطاق، لكنه يحول تصميم chiplets إلى مسألة تعاون بين المجالات الحرارية والميكانيكية والكهرومغناطيسية والبصرية. لذلك لم يعد اختيار موضع الشريحة الضوئية قراراً منفصلاً، بل جزءاً من تصميم النظام والتحقق منه بالكامل.