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imec展示了两种提升CFET晶体管可制造性的模块：一种背面互连结构提高了驱动电流并降低了通往底部器件的访问电阻；另一种基于dipole-middle的栅极结构则在适宜的热预算内调节阈值电压。这些结果代表了研究进展，但尚未证明CFET已具备大规模商业生产的准备条件。
芯片行业正准备转向三维CFET晶体管。这种晶体管将nFET和pFET上下堆叠，以提升密度和性能，但其成功将取决于互连精度、缺陷控制和翘曲控制。Intel、TSMC、Samsung和IBM正在采用不同的制造路径，同时越来越多地依赖多物理场仿真和虚拟制造。