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imec는 CFET 트랜지스터의 제조 용이성을 개선하기 위한 두 가지 모듈을 선보였다. 하나는 후면 연결 구조로 구동 전류를 높이고 하부 소자에 대한 접근 저항을 낮췄으며, 다른 하나는 dipole-middle 기반 게이트 구조로 적절한 열 예산 내에서 문턱전압을 조정했다. 이 결과는 연구 개발의 진전을 보여주지만, 아직 CFET가 대규모 상업 생산에 투입될 준비가 되었음을 입증하지는 않는다.
반도체 산업은 nFET와 pFET 트랜지스터를 서로 위에 배치해 집적도와 성능을 높이는 3차원 CFET 트랜지스터로 전환할 준비를 하고 있지만, 성공 여부는 연결부의 정밀도와 결함 및 뒤틀림 제어에 달려 있다. Intel, TSMC, Samsung, IBM은 서로 다른 제조 경로를 채택하고 있으며, 다중 물리 시뮬레이션과 가상 제조에 대한 의존도는 점차 높아지고 있다.