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imec a présenté deux modules visant à améliorer la fabricabilité des transistors CFET : une architecture d’interconnexion arrière qui a augmenté le courant de commande et réduit la résistance d’accès aux dispositifs inférieurs, ainsi qu’une architecture de grille fondée sur le dipole-middle pour ajuster la tension de seuil dans un budget thermique adapté. Ces résultats constituent une avancée de recherche, mais ne démontrent pas encore que les CFET sont prêts pour une production commerciale à grande échelle.
L’industrie des puces se prépare à passer aux transistors CFET tridimensionnels, qui placent les transistors nFET et pFET l’un au-dessus de l’autre afin d’accroître la densité et les performances, mais leur succès dépendra de la précision des interconnexions ainsi que du contrôle des défauts et de la distorsion. Intel, TSMC, Samsung et IBM adoptent des voies de fabrication différentes, avec un recours croissant à la simulation multiphysique et à la fabrication virtuelle.