En son haberleri, açıklamaları ve bağlantılı teknoloji hikâyelerini takip edin.
imec, CFET transistörlerinin üretilebilirliğini artırmak için iki modül sundu: arka taraf bağlantı yapısı sürüş akımını artırıp alt cihazlara erişim direncini düşürdü; dipol-orta tabanlı kapı yapısı ise uygun bir termal bütçe içinde eşik geriliminin ayarlanmasını sağladı. Sonuçlar araştırma açısından ilerlemeyi temsil ediyor, ancak CFET'in geniş ölçekli ticari üretime hazır olduğunu henüz kanıtlamıyor.
Yonga sektörü, yoğunluğu ve performansı artırmak için nFET ve pFET transistörlerini üst üste yerleştiren üç boyutlu CFET transistörlerine geçişe hazırlanıyor; ancak başarı, bağlantıların hassasiyetine, kusurların ve çarpılmanın kontrolüne bağlı olacak. Intel, TSMC, Samsung ve IBM farklı üretim yolları benimsiyor; çoklu fizik simülasyonlarına ve sanal üretime giderek daha fazla başvuruluyor.